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HSMS-8202-TR1的图片

HSMS-8202-TR1

安华高(AVAGO)图标
分立半导体产品 > 二极管 > 射频
制造厂商:安华高(AVAGO,BROADCOM博通)
功能简述:RF DIODE SCHOTTKY 4V 75MW SOT23
原厂封装:封装:SOT-23-3
优势价格,HSMS-8202-TR1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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HSMS-8202-TR1的功能参数资料 - AVAGO安华高公司(BROADCOM博通)提供

在追求极致信号完整性的射频世界里,您是否还在为寻找一款能在高频下保持超低损耗、快速响应的关键元件而烦恼?今天,我们为您带来一个卓越的解决方案来自安华高科技(现博通)的HSMS-8202-TR1。这颗经典的肖特基射频二极管,以其卓越的性能和久经考验的可靠性,依然是众多高性能设计中的不二之选。它不仅仅是一个元件,更是您提升产品射频前端性能、确保信号纯净度的得力助手。

想象一下,在您的移动通信设备、高速数据模块或精密测试仪器中,HSMS-8202-TR1正默默发挥着关键作用。它采用独特的1对串联肖特基结构,在高达1MHz的频率下,其电容值低至惊人的0.26pF(@0V),串联电阻仅为14欧姆(@5mA)。这意味着信号通过时的损耗被降至极低,高频特性得到最大程度的保留,让您的设备在捕捉微弱信号或传输高速数据时,响应更迅捷,保真度更高。其4V的最大反向峰值电压和75mW的功率耗散能力,确保了在严苛工作环境下的稳定与耐用,最高150°C的结温(TJ)更是赋予了它应对高温挑战的底气。

无论是用于混频器、检波器、采样保持电路,还是作为高速开关或限幅器,HSMS-8202-TR1都能游刃有余。其经典的SOT-23-3微型封装,为您的PCB布局提供了极大的灵活性,尤其适合空间受限的便携式和集成化设计。选择它,就是选择了一份源自安华高(博通)的品质传承与性能保证。虽然该型号已标注停产,但其卓越的设计和广泛的应用基础,使其在存量市场和特定高端应用中依然拥有不可替代的价值。为确保您能获得正品货源与可靠的技术支持,我们强烈建议您通过值得信赖的安华高一级代理进行采购,这不仅能保障元件的正宗血统,更能获得专业的选型指导与供应链服务,让您的项目从起点就赢在可靠性上。

在竞争激烈的市场里,细节决定成败。一颗优秀的射频二极管,可能就是您的产品在灵敏度、效率或速度上超越对手的关键。HSMS-8202-TR1以其经过验证的低电容、低电阻特性,为您构建更清晰、更快速、更稳定的射频信号链路提供了坚实基石。它代表了一种对性能毫不妥协的设计哲学。当您为下一个创新项目寻找核心射频元件时,不妨将目光投向这颗经典之作,让它成为您电路中那个沉默却强大的性能引擎,驱动您的产品迈向新的高度。

  • 型号:HSMS-8202-TR1
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:SOT-23-3
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
  • 描述:RF DIODE SCHOTTKY 4V 75MW SOT23
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 二极管类型:肖特基 - 1 对串联
  • 电压 - 峰值反向(最大值):4V
  • 电流 - 最大值:-
  • 不同Vr、F 时电容:0.26pF @ 0V,1MHz
  • 不同If、F 时电阻:14 欧姆 @ 5mA,1MHz
  • 功率耗散(最大值):75 mW
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 封装/外壳:TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
  • 供应商器件封装:SOT-23-3
  • 想获取HSMS-8202-TR1的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在寻找能显著提升您电路高频性能的“秘密武器”吗?HSMS-8202-TR1正是您需要的答案。这颗由安华高(博通)出品的肖特基射频二极管,专为 demanding 的高频应用而设计。它能为您做什么?核心在于其超凡的低损耗特性:在0V偏压下电容仅0.26pF,串联电阻低至14欧姆,这能让高频信号几乎无阻碍地通过,极大提升混频、检波或开关电路的效率和响应速度。

凭借其1对串联的肖特基结构和4V的反向耐压,它能在各种射频前端电路中稳定工作,有效处理信号。紧凑的SOT-23-3封装让您能轻松将其集成到空间受限的设计中,无论是移动设备还是测试仪器。选择HSMS-8202-TR1,就是选择了一个经过市场验证的可靠解决方案,让您轻松构建更高效、信号更纯净的射频系统,为产品的最终性能加分。

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