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HSMS-281E-TR1G的图片

HSMS-281E-TR1G

安华高(AVAGO)图标
分立半导体产品 > 二极管 > 射频
制造厂商:安华高(AVAGO,BROADCOM博通)
功能简述:RF DIODE SCHOTTKY 20V SOT-323
原厂封装:封装:SOT-323
优势价格,HSMS-281E-TR1G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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HSMS-281E-TR1G的功能参数资料 - AVAGO安华高公司(BROADCOM博通)提供

在追求极致信号完整性的射频世界里,您是否还在为寻找一款能在高频下稳定工作、同时兼顾低损耗与高可靠性的关键元件而烦恼?今天,我们为您带来一个经过市场长期验证的卓越解决方案HSMS-281E-TR1G。这款来自安华高科技(现博通)的肖特基射频二极管,以其卓越的1.2pF超低结电容和高达150°C的结温工作能力,为您的设计注入强大的稳定性和性能保障。它不仅仅是一个元件,更是您提升产品射频前端性能、确保信号纯净度的得力助手。

想象一下,在您的混频器、检波器或高速开关电路中,HSMS-281E-TR1G正以其共阳极对管结构,高效地处理着高频信号。其15欧姆的典型串联电阻(在5mA,1MHz条件下)意味着更低的导通损耗,让宝贵的信号能量更多地用于传递信息,而非消耗在元件本身。无论是通信基站、测试测量设备,还是对频率敏感的消费电子应用,这颗芯片都能在高达1GHz甚至更高的频率范围内,提供快速、精准的整流与开关动作,确保您的系统响应迅捷,性能出众。

选择HSMS-281E-TR1G,就是选择了一份源自行业巨头安华高(博通)的品质背书。尽管其零件状态显示为停产,但这恰恰证明了其经典的设计和广泛的市场接受度,库存产品依然是许多成熟和高可靠性设计的首选。其紧凑的SOT-323封装,为您在有限的PCB空间内实现高性能布局提供了可能。当您需要为项目寻找这样一颗可靠的核心射频器件时,联系一家值得信赖的安华高代理商至关重要,他们不仅能提供正品货源,更能给予专业的选型支持与供应链服务。让HSMS-281E-TR1G成为您连接理想设计与现实产品之间,那座坚固而高效的桥梁。

  • 型号:HSMS-281E-TR1G
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:SOT-323
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
  • 描述:RF DIODE SCHOTTKY 20V SOT-323
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 二极管类型:肖特基 - 1 对共阳极
  • 电压 - 峰值反向(最大值):20V
  • 电流 - 最大值:1 A
  • 不同Vr、F 时电容:1.2pF @ 0V,1MHz
  • 不同If、F 时电阻:15 欧姆 @ 5mA,1MHz
  • 功率耗散(最大值):-
  • 工作温度:150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 封装/外壳:SC-70,SOT-323
  • 供应商器件封装:SOT-323
  • 想获取HSMS-281E-TR1G的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为高频电路中的信号损耗和响应速度担忧吗?让HSMS-281E-TR1G为您排忧解难!这颗由安华高(博通)出品的肖特基射频二极管,专为高效射频应用而生。它能为您实现高速、低损耗的信号整流与开关,其超低的1.2pF结电容和优化的串联电阻,确保您的高频信号畅通无阻,大幅提升系统的整体效率和灵敏度。

凭借其1A的最大电流和20V的反向峰值电压能力,HSMS-281E-TR1G让您的设计更具鲁棒性。其紧凑的SOT-323封装和高达150°C的结温工作范围,更让您能轻松应对各种紧凑空间和严苛环境下的设计挑战,是构建可靠、高性能射频前端的理想选择。

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