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ATF-58143-TR2G的图片

ATF-58143-TR2G

安华高(AVAGO)图标
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
制造厂商:安华高(AVAGO,BROADCOM博通)
功能简述:RF MOSFET PHEMT FET 3V SOT343
原厂封装:封装:SOT-343
优势价格,ATF-58143-TR2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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ATF-58143-TR2G的功能参数资料 - AVAGO安华高公司(BROADCOM博通)提供

在追求极致信号清晰度的无线通信领域,您是否曾为微弱的信号和恼人的噪声所困扰?想象一下,在密集的城市频谱环境中,您的设备依然能捕捉到纯净、强劲的信号,这不仅是技术的胜利,更是产品竞争力的核心体现。今天,我们向您隆重介绍一款在射频前端扮演关键角色的明星器件ATF-58143-TR2G,它正是为破解这一难题而生,将微弱的射频信号转化为清晰、可靠的数据流。

这款来自安华高科技(现Broadcom博通)的pHEMT FET晶体管,以其卓越的性能参数,在2GHz的黄金频段内大放异彩。0.5dB的超低噪声系数意味着它在信号放大过程中几乎不引入额外干扰,如同一位拥有绝对音准的指挥家,精准还原每一个信号细节。同时,高达16.5dB的增益和19dBm的输出功率,赋予了它强大的信号放大和驱动能力,确保您的产品即使在信号边缘地带也能保持稳定连接。无论是智能手机的蜂窝与Wi-Fi前端模块、基站的低噪声放大器,还是对信号完整性要求极高的测试测量设备,ATF-58143-TR2G都能无缝融入,成为提升系统灵敏度和动态范围的关键一环。

选择ATF-58143-TR2G,就是选择了一份经过市场验证的可靠性与性能保障。其紧凑的SOT-343封装,为您的PCB布局节省了宝贵空间,特别适合高密度集成设计。虽然该型号目前已处于停产状态,但这恰恰证明了其经典与成熟,市场上仍有库存和替代方案可供选择。对于正在维护或升级现有经典设计的工程师而言,它依然是值得信赖的伙伴。要获取这颗经典芯片或咨询其后续替代方案,联系一家可靠的Avago代理商是您最便捷高效的途径。他们不仅能提供正品货源,更能为您提供专业的技术支持和选型建议,帮助您的产品在激烈的市场竞争中,凭借卓越的射频性能脱颖而出,赢得用户的持久信赖。

  • 型号:ATF-58143-TR2G
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:SOT-343
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
  • 描述:RF MOSFET PHEMT FET 3V SOT343
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 技术:pHEMT FET
  • 配置:-
  • 频率:2GHz
  • 增益:16.5dB
  • 电压 - 测试:3 V
  • 额定电流(安培):100mA
  • 噪声系数:0.5dB
  • 电流 - 测试:30 mA
  • 功率 - 输出:19dBm
  • 电压 - 额定:5 V
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:-
  • 封装/外壳:SC-82A,SOT-343
  • 供应商器件封装:SOT-343
  • 想获取ATF-58143-TR2G的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为射频前端设计的噪声和增益问题头疼吗?让ATF-58143-TR2G为您带来颠覆性的解决方案!这颗基于先进pHEMT工艺的射频FET晶体管,专为2GHz及以下频段的高性能放大而优化。

它能为您做什么?核心在于其惊人的0.5dB超低噪声系数和16.5dB的高增益。这意味着它能在几乎不引入额外噪声的前提下,将微弱的射频信号大幅增强,让您的接收机系统拥有“顺风耳”般的灵敏度。同时,高达19dBm的输出功率让它在驱动后级电路时游刃有余。其紧凑的SOT-343封装和5V工作电压,让您能轻松将其集成到空间受限的移动设备或基站模块中,高效实现系统性能的飞跃。

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