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ATF-551M4-TR1

安华高(AVAGO)图标
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
制造厂商:安华高(AVAGO,BROADCOM博通)
功能简述:RF MOSFET PHEMT FET 2.7V MINIPAK
原厂封装:封装:MiniPak 1412
优势价格,ATF-551M4-TR1的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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ATF-551M4-TR1的功能参数资料 - AVAGO安华高公司(BROADCOM博通)提供

在追求极致信号清晰度的无线通信领域,您是否还在为微弱的信号和恼人的噪声而烦恼?想象一下,您的设备能够以前所未有的灵敏度捕捉每一个关键数据点,让通信链路如水晶般通透。这一切的核心,可能就藏在一颗看似微小却能量巨大的射频晶体管之中。今天,我们向您隆重介绍来自安华高科技(现博通)的明星产品ATF-551M4-TR1,它正是为破解这一难题而生的卓越解决方案。

这颗采用先进pHEMT FET工艺的射频晶体管,在2GHz的频段上展现出了令人惊叹的性能。它不仅仅是一个放大器,更是一个信号净化器。其低至0.5dB的噪声系数,意味着它几乎不会为您的信号增添任何“杂质”,让原始信号的纯净度得以最大程度保留。同时,高达17.5dB的增益,赋予了它强大的信号放大能力,能将微弱的输入信号稳健地提升到可用水平,确保您的系统在最苛刻的条件下也能稳定工作。无论是基站的前端低噪声放大,还是测试测量设备中对信号保真度的极致要求,ATF-551M4-TR1都能游刃有余,成为提升系统整体信噪比和灵敏度的关键先生。

选择ATF-551M4-TR1,就是选择了一种经过市场验证的可靠性与卓越性能的平衡。它工作在2.7V至5V的宽电压范围内,功耗控制出色,非常适合对能效有要求的便携式或电池供电设备。其紧凑的0505(1412公制)封装,为您的PCB布局节省了宝贵空间,让高密度集成设计成为可能。虽然该型号已进入停产状态,但其经典的设计和卓越的性能指标,使其在存量市场和特定高性能需求场景中依然具有不可替代的价值。为确保您能获得正品货源和可靠的技术支持,我们强烈建议您通过值得信赖的安华高一级代理进行采购,这不仅是品质的保障,更是项目顺利推进的基石。让ATF-551M4-TR1为您的产品注入清晰的“芯”动力,在激烈的市场竞争中赢得先机。

  • 型号:ATF-551M4-TR1
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:MiniPak 1412
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
  • 描述:RF MOSFET PHEMT FET 2.7V MINIPAK
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 技术:pHEMT FET
  • 配置:-
  • 频率:2GHz
  • 增益:17.5dB
  • 电压 - 测试:2.7 V
  • 额定电流(安培):100mA
  • 噪声系数:0.5dB
  • 电流 - 测试:10 mA
  • 功率 - 输出:14.6dBm
  • 电压 - 额定:5 V
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:-
  • 封装/外壳:0505(1412 公制)
  • 供应商器件封装:MiniPak 1412
  • 想获取ATF-551M4-TR1的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在寻找那颗能让您的射频前端既灵敏又强劲的“心脏”吗?ATF-551M4-TR1正是您期待的答案。这颗基于pHEMT技术的射频晶体管,专为2GHz频段的高性能放大而优化,其核心使命就是让您的信号处理变得无比清晰和高效。

它能为您做什么?它首先是一位卓越的“降噪专家”,0.5dB的超低噪声系数确保信号输入端的纯净,几乎不引入额外干扰。同时,它又是一位强大的“信号助推器”,提供高达17.5dB的增益,轻松将微弱信号放大到理想水平。结合14.6dBm的输出功率和宽电压工作范围,它让您在设计低噪声放大器(LNA)、驱动放大器或振荡器电路时更加得心应手,轻松构建稳定、高效的射频链路。

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