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ATF-53189-TR2

安华高(AVAGO)图标
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
制造厂商:安华高(AVAGO,BROADCOM博通)
功能简述:RF MOSFET PHEMT FET 4V SOT89-3
原厂封装:封装:SOT-89-3
优势价格,ATF-53189-TR2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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ATF-53189-TR2的功能参数资料 - AVAGO安华高公司(BROADCOM博通)提供

在追求极致信号清晰度的无线通信世界,您是否曾为微弱的信号、恼人的噪声和有限的动态范围而困扰?今天,让我们为您介绍一款能够彻底改变游戏规则的射频解决方案ATF-53189-TR2。这颗源自安华高科技(现博通)的pHEMT FET晶体管,不仅仅是一个元件,更是您构建高性能、高可靠性射频前端的基石。它以其卓越的0.8dB超低噪声系数和高达17.2dB的增益,在900MHz频段上为您带来前所未有的信号纯净度与放大效能,让您的系统在复杂电磁环境中脱颖而出。

想象一下,在基站接收链路、卫星通信终端或是高要求的测试测量设备中,信号的微弱与噪声的干扰往往是性能提升的最大瓶颈。ATF-53189-TR2正是为此而生。其出色的噪声性能意味着它能捕捉到更微弱的有效信号,同时将无用噪声压制到极低水平,这对于提升接收灵敏度、扩大通信距离至关重要。而其高达21.7dBm的输出功率能力,又确保了信号在经过放大后依然强劲有力,足以驱动后续链路。无论是城市密集区的微基站,还是对信号完整性有严苛要求的专业仪器,它都能游刃有余,确保每一比特数据都清晰、准确地传递。

选择ATF-53189-TR2,就是选择了一份来自行业巨头的品质保证。博通的技术底蕴赋予了它卓越的稳定性和一致性。其宽至7V的额定电压范围和300mA的额定电流,提供了充裕的设计余量和可靠性保障。紧凑的SOT-89-3封装(TO-243AA)使其能够轻松融入高密度的PCB布局,帮助您节省宝贵的板级空间。更重要的是,当您通过可靠的安华高一级代理渠道获取此产品时,您获得的不仅是正品保障和稳定的供货,还有专业的技术支持与供应链服务,让您的产品从研发到量产全程无忧。它不仅仅优化了您当前设计的性能,更为您的产品在未来市场的竞争中,奠定了坚实的技术优势。

  • 型号:ATF-53189-TR2
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:SOT-89-3
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
  • 描述:RF MOSFET PHEMT FET 4V SOT89-3
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 技术:pHEMT FET
  • 配置:-
  • 频率:900MHz
  • 增益:17.2dB
  • 电压 - 测试:4 V
  • 额定电流(安培):300mA
  • 噪声系数:0.8dB
  • 电流 - 测试:135 mA
  • 功率 - 输出:21.7dBm
  • 电压 - 额定:7 V
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:-
  • 封装/外壳:TO-243AA
  • 供应商器件封装:SOT-89-3
  • 想获取ATF-53189-TR2的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为射频前级的噪声和增益问题头疼吗?让ATF-53189-TR2来为您解决!这颗基于先进pHEMT工艺的晶体管,能在900MHz频段为您提供高达17.2dB的强劲增益,同时将噪声系数压低至惊人的0.8dB,显著提升系统的接收灵敏度和信号信噪比。

它让您轻松实现高达21.7dBm的线性功率输出,确保信号放大后依然纯净有力。工作在4V典型电压下,其宽电压范围(额定7V)和稳健的封装(SOT-89-3)为您带来高效且可靠的设计体验,是低噪声放大器(LNA)、驱动放大器等应用的理想核心器件,助您快速构建高性能射频链路。

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