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ATF-50189-TR2

安华高(AVAGO)图标
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
制造厂商:安华高(AVAGO,BROADCOM博通)
功能简述:RF MOSFET E-PHEMT 4.5V SOT89
原厂封装:封装:SOT-89
优势价格,ATF-50189-TR2的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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ATF-50189-TR2的功能参数资料 - AVAGO安华高公司(BROADCOM博通)提供

在追求极致射频性能的道路上,您是否曾为信号链中的噪声和增益瓶颈而困扰?想象一下,一个关键的低噪声放大环节,能将微弱的信号清晰、有力地放大,同时将自身引入的干扰降至几乎不可察觉的程度这正是ATF-50189-TR2为您带来的核心价值。这颗源自安华高科技(现博通)的E-pHEMT射频晶体管,以其卓越的1.1dB超低噪声系数和高达15.5dB的增益,重新定义了前端放大器的性能标准,让您的系统在信号接收的起跑线上就赢得先机。

无论是面对蜂窝基站中对信号纯净度要求严苛的低噪声放大器(LNA)设计,还是无线通信设备中需要高线性度和输出功率的驱动级应用,ATF-50189-TR2都能游刃有余。其高达29dBm的输出功率和2GHz的工作频率,使其完美适配于2G/3G/4G乃至部分物联网频段的前端模块,确保信号在放大过程中保持高保真与强驱动能力。在测试测量设备、卫星通信接收端等对性能有极致追求的场景中,它同样是工程师信赖的选择,帮助捕捉每一个微弱而珍贵的信号。

选择ATF-50189-TR2,不仅仅是选择了一颗高性能的射频晶体管,更是选择了一种经过市场验证的可靠解决方案。它采用成熟的TO-243AA(SOT-89)封装,便于集成和散热,7V的额定电压和4.5V的测试电压提供了宽裕的设计余量。尽管该型号已处于停产状态,但其卓越的性能指标和广泛的应用口碑,使其在存量市场和特定高性能需求项目中依然极具吸引力。为确保您能获得正品货源与专业的技术支持,我们强烈建议您通过可靠的安华高一级代理进行采购,这将是您项目成功与供应链稳定的坚实保障。让ATF-50189-TR2成为您射频电路设计中那颗稳定而强大的“心脏”,驱动您的产品性能迈向新的高峰。

  • 型号:ATF-50189-TR2
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:SOT-89
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
  • 描述:RF MOSFET E-PHEMT 4.5V SOT89
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 技术:E-pHEMT
  • 配置:-
  • 频率:2GHz
  • 增益:15.5dB
  • 电压 - 测试:4.5 V
  • 额定电流(安培):1A
  • 噪声系数:1.1dB
  • 电流 - 测试:280 mA
  • 功率 - 输出:29dBm
  • 电压 - 额定:7 V
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:-
  • 封装/外壳:TO-243AA
  • 供应商器件封装:SOT-89
  • 想获取ATF-50189-TR2的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在寻找一颗能同时兼顾超低噪声和高增益的射频放大核心吗?ATF-50189-TR2正是为您而生的解决方案。这颗基于先进E-pHEMT工艺的晶体管,拥有惊人的1.1dB噪声系数和15.5dB增益,能显著提升接收链路的灵敏度,让您轻松捕捉微弱信号,为您的通信设备奠定清晰的“听力”基础。

它不仅能安静地放大信号,更能有力地输出信号。高达29dBm的输出功率和2GHz的工作频率,让它在驱动后级电路或直接作为功率放大前端时都表现出色,确保您的系统拥有足够的信号强度和优秀的线性度。无论是用于基站LNA还是无线模块,它都能让您的设计更高效、更可靠。

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