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ATF-36163-TR2G的图片

ATF-36163-TR2G

安华高(AVAGO)图标
分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
制造厂商:安华高(AVAGO,BROADCOM博通)
功能简述:RF MOSFET PHEMT FET 2V SOT363
原厂封装:封装:SOT-363
优势价格,ATF-36163-TR2G的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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ATF-36163-TR2G的功能参数资料 - AVAGO安华高公司(BROADCOM博通)提供

在追求极致信号纯净度的射频世界里,您是否还在为微弱的噪声和有限的增益而妥协?想象一下,在4GHz的频段下,噪声系数仅为0.6dB,这意味着您的系统能够捕捉到更清晰、更真实的信号,将背景干扰降至几乎不可察觉的水平。这正是ATF-36163-TR2G带来的核心价值它不仅仅是一个射频FET,更是您提升接收机灵敏度和整体链路性能的秘密武器。

这颗采用先进pHEMT工艺的晶体管,在2V的测试电压下就能展现出15.8dB的卓越增益,同时仅需15mA的测试电流,完美诠释了“高效能、低功耗”的设计哲学。无论是用于低噪声放大器(LNA)来放大微弱的卫星导航信号,还是作为混频器或振荡器中的关键有源器件,它都能确保您的设计在信号链的起始端就建立起决定性的优势。其紧凑的SOT-363封装,更是为空间受限的便携式设备、物联网模块以及测试测量仪器提供了理想的解决方案,让高性能不再受限于物理尺寸。

选择ATF-36163-TR2G,就是选择了一种经过验证的可靠性。它源自安华高科技(现为Broadcom博通)的深厚技术积淀,其优异的线性度和5dBm的输出功率能力,能够帮助您的产品在拥挤的频谱环境中保持稳定输出,减少互调失真。虽然该型号目前已停产,但其卓越的性能指标和广泛的应用验证,使其在特定高性能、高可靠性要求的领域,依然是通过专业渠道获取的珍贵组件。当您需要为关键项目寻找这样的高性能射频解决方案时,联系一家可靠的Avago代理商,获取经过严格质量控制的元器件,无疑是确保项目成功与长期稳定性的明智之举。

  • 型号:ATF-36163-TR2G
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:SOT-363
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > RF FET,MOSFET
  • 描述:RF MOSFET PHEMT FET 2V SOT363
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 技术:pHEMT FET
  • 配置:-
  • 频率:4GHz
  • 增益:15.8dB
  • 电压 - 测试:2 V
  • 额定电流(安培):40mA
  • 噪声系数:0.6dB
  • 电流 - 测试:15 mA
  • 功率 - 输出:5dBm
  • 电压 - 额定:3 V
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 安装类型:-
  • 封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363
  • 供应商器件封装:SOT-363
  • 想获取ATF-36163-TR2G的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您正在设计一款对信号灵敏度有苛刻要求的接收机吗?ATF-36163-TR2G正是为您而来。这颗基于pHEMT技术的射频FET,能在高达4GHz的频率下,为您提供惊人的15.8dB增益和低至0.6dB的噪声系数,让您的系统轻松捕捉微弱信号,大幅提升信噪比。

它采用3V额定电压工作,测试条件温和(2V,15mA),功耗极低,却可输出5dBm的功率,在节省能源的同时保证了出色的线性性能。其超小的SOT-363封装,让您能高效利用宝贵的PCB空间,非常适合集成到各类紧凑型射频前端模块、低噪声放大器和混频器电路中,是提升产品射频性能的得力助手。

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