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ACPL-P346-560E的图片

ACPL-P346-560E

安华高(AVAGO)图标
隔离器 > 隔离器 - 栅极驱动器
制造厂商:安华高(AVAGO,BROADCOM博通)
功能简述:OPTOISO 3.75KV 1CH GATE DRVR 6SO
原厂封装:封装:6-SO 伸展式
优势价格,ACPL-P346-560E的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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ACPL-P346-560E的功能参数资料 - AVAGO安华高公司(BROADCOM博通)提供

在追求极致效率与可靠性的电力电子设计中,您是否曾为驱动信号的隔离与保护而困扰?当系统需要承受严苛的工业环境挑战时,一个微小的延迟或一次意外的干扰都可能导致整个方案的失败。现在,这一切都有了更优解ACPL-P346-560E,这颗来自安华高科技(现博通)的明星级栅极驱动器,正以其高达3750Vrms的电气隔离能力和惊人的50kV/s共模瞬变抗扰度,为您的设计筑起一道坚不可摧的安全防线。它不仅是一颗芯片,更是您系统稳定运行的信心保障。

想象一下,在变频器驱动、工业电机控制或是不间断电源(UPS)的核心电路中,ACPL-P346-560E正发挥着关键作用。它精准地接收来自控制端的低压信号,并通过其卓越的光学耦合技术,将其转化为强大、干净且隔离的驱动脉冲,去安全、高效地控制功率MOSFET或IGBT的开关。无论是面对工厂车间的电磁噪声,还是应对新能源领域的高压波动,它都能确保驱动信号的绝对完整与准时,让功率变换过程如行云流水般顺畅。这意味着您的终端设备可以获得更高的能效、更长的寿命以及更低的故障率。

选择ACPL-P346-560E,就是选择了一份经过市场验证的卓越性能。它高达2.5A的峰值输出电流,能够快速对功率器件的栅极电容进行充放电,显著降低开关损耗;而仅120ns的最大传播延迟和低至50ns的脉宽失真,则确保了控制的精确性与实时性,这对于需要高频率、高精度PWM控制的应用至关重要。其宽泛的工作温度范围(-40°C至105°C)和紧凑的6-SOIC封装,更是让它能够轻松应对从寒带到热带的各类严苛应用环境,为您的产品全球化部署扫清障碍。当您需要这样一颗集高性能、高可靠性于一身的驱动芯片时,选择一家值得信赖的安华高代理商至关重要,他们将为您提供从选型支持到稳定供货的全方位服务。

归根结底,在竞争激烈的市场中,产品的差异化往往源于这些核心器件的选择。ACPL-P346-560E所代表的,不仅是安华高科技(博通)在隔离技术领域的深厚积淀,更是一种对品质与性能永不妥协的态度。它将强大的驱动能力、无与伦比的抗干扰特性和稳健的可靠性完美融合,赋能您的设计,助您打造出在效率、稳定性和安全性上都领先一筹的下一代电力电子系统。现在就让它成为您设计蓝图中的核心动力,开启高效可靠的新篇章。

  • 型号:ACPL-P346-560E
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:6-SO 伸展式
  • 类目:隔离器 > 隔离器 - 栅极驱动器
  • 描述:OPTOISO 3.75KV 1CH GATE DRVR 6SO
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • 技术:光学耦合
  • 通道数:1
  • 电压 - 隔离:3750Vrms
  • 共模瞬变抗扰度(最小值):50kV/s
  • 传播延迟 tpLH / tpHL(最大值):120ns,120ns
  • 脉宽失真(最大):50ns
  • 上升/下降时间(典型值):8ns,8ns
  • 电流 - 输出高、低:2A,2A
  • 电流 - 峰值输出:2.5A
  • 电压 - 正向 (Vf)(典型值):1.55V
  • 电流 - DC 正向 (If)(最大值):25 mA
  • 电压 -输出供电:10V ~ 20V
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 工作温度:-40°C ~ 105°C
  • 安装类型:表面贴装型
  • 封装/外壳:6-SOIC(0.268,6.80mm 宽)
  • 供应商器件封装:6-SO 伸展式
  • 认证机构:CSA,IEC/EN/DIN,UR
  • 想获取ACPL-P346-560E的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为功率开关器件的驱动难题寻找最佳方案吗?ACPL-P346-560E正是您期待的答案。这颗单通道栅极驱动器采用先进的光学耦合技术,能为您在控制电路与高压功率电路之间建立起一道高达3750Vrms的电气隔离屏障,彻底杜绝危险的高压窜扰,让您的系统设计既安全又安心。

它的核心价值在于让您“驱动无忧”。凭借高达2.5A的峰值输出电流和极快的开关速度(上升/下降时间典型值仅8ns),它能轻松、高效地驱动MOSFET或IGBT,显著提升开关效率,降低系统损耗。同时,其卓越的50kV/s共模瞬变抗扰度和低至120ns的传播延迟,确保了在最嘈杂的工业电磁环境下,驱动指令也能精准、无误地执行,为您的电机控制、电源转换等应用提供坚如磐石的性能保障。

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