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AVAGO
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5082-3080#T50

安华高(AVAGO)图标
分立半导体产品 > 二极管 > 射频
制造厂商:安华高(AVAGO,BROADCOM博通)
功能简述:RF DIODE PIN 100V 250MW
原厂封装:封装:-
优势价格,5082-3080#T50的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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5082-3080#T50的功能参数资料 - AVAGO安华高公司(BROADCOM博通)提供

在追求极致射频性能的设计中,您是否曾为信号切换的损耗、隔离度或响应速度而困扰?想象一下,一个关键的控制信号需要被快速、精准地路由,任何延迟或失真都可能影响整个系统的稳定性。现在,让我们为您介绍射频信号链中的一位“隐形冠军”5082-3080#T50。这款来自安华高科技(现博通)的PIN二极管射频开关,正是为解决这些核心挑战而生,它将为您的设计注入前所未有的可靠性与灵活性。

当我们将目光投向其卓越的性能参数,一切优势都变得清晰可见。高达100V的峰值反向电压,赋予了它强大的耐压能力,确保在严苛的电压环境下依然稳定如山。在100mA的最大电流下,其串联电阻低至2.5欧姆,这意味着极低的插入损耗,让宝贵的信号能量得以最大程度地保留。更令人印象深刻的是,在50V偏压和1MHz条件下,其电容值仅为0.4pF,超低的结电容带来了极高的截止频率和出色的隔离度,让高频信号切换变得干净利落,有效抑制了通道间的串扰。这些特性共同构建了一个高效、低损耗的信号通路,无论是用于天线切换、滤波器旁路还是测试仪器中的信号路由,它都能游刃有余。

它的身影活跃于众多关键应用场景。在通信基站中,它可用于实现发射与接收通道的快速切换,提升系统容量与可靠性。在专业的测试与测量设备里,它确保了信号路由的精确与稳定,是工程师值得信赖的伙伴。甚至在汽车雷达、卫星通信等对性能要求极高的领域,其轴向DO-35封装带来的坚固性与一致性,也使其成为高可靠性设计的优选。选择5082-3080#T50,不仅仅是选择了一颗元件,更是选择了一种以性能为导向的设计哲学,它让复杂的射频系统设计化繁为简,将不确定性降至最低。

那么,在众多同类产品中,为何最终锁定这款芯片?答案在于其背后深厚的品牌积淀与无与伦比的性能均衡。它继承了安华高/博通在射频领域数十年的技术精髓,每一颗芯片都经过严格测试,确保批次间的高度一致性。其250mW的功率耗散能力,兼顾了效率与可靠性。轴向封装不仅便于安装,更提供了优异的散热路径。当您致力于打造一款信号纯净、响应迅捷、长期稳定的产品时,这颗芯片就是您电路板上那块最坚实的基石。我们作为专业的安华高芯片代理,不仅为您提供原装正品,更能提供深入的技术支持与供应链保障,让您的创新之旅再无后顾之忧。立即采用5082-3080#T50,开启您射频设计性能与可靠性的新篇章。

  • 型号:5082-3080#T50
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:-
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
  • 描述:RF DIODE PIN 100V 250MW
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 二极管类型:PIN - 单
  • 电压 - 峰值反向(最大值):100V
  • 电流 - 最大值:100 mA
  • 不同Vr、F 时电容:0.4pF @ 50V,1MHz
  • 不同If、F 时电阻:2.5 欧姆 @ 100mA,100MHz
  • 功率耗散(最大值):250 mW
  • 工作温度:-65°C ~ 150°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向
  • 供应商器件封装:-
  • 想获取5082-3080#T50的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

您正在寻找一颗能显著提升射频系统切换性能的核心器件吗?5082-3080#T50正是您期待的答案。这颗高性能PIN二极管射频开关,专为需要快速、低损耗信号路由的应用而设计,它能轻松胜任天线切换、信号衰减或测试通道选择等关键任务。

凭借其超低的结电容(0.4pF @ 50V)和串联电阻(2.5Ω @ 100mA),它能为您带来极高的隔离度和极小的插入损耗,确保您的高频信号清晰、完整地通过。100V的高耐压和250mW的功率处理能力,则赋予了它出色的可靠性与稳定性,让您的设计在面对复杂工况时依然从容不迫。

采用经典的DO-35轴向封装,它结构坚固,便于安装,是实现高效、紧凑射频电路的理想选择。选择5082-3080#T50,就是为您的产品选择了一份来自博通科技的品质承诺与性能保障。

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