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AVAGO
5082-2811#T50的图片

5082-2811#T50

安华高(AVAGO)图标
分立半导体产品 > 二极管 > 射频
制造厂商:安华高(AVAGO,BROADCOM博通)
功能简述:RF DIODE SCHOTTKY 15V 250MW
原厂封装:封装:-
优势价格,5082-2811#T50的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货
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5082-2811#T50的功能参数资料 - AVAGO安华高公司(BROADCOM博通)提供

在追求极致效率的电子设计中,您是否曾为信号处理中的微小损耗而困扰?当每一毫安电流、每一皮法电容都关乎系统整体性能时,选择一颗真正高效的肖特基二极管,往往成为决定产品成败的关键细节。今天,我们为您带来的5082-2811#T50,正是安华高科技(现Broadcom博通)为应对此类精密挑战而打造的明星产品。它不仅仅是一个元件,更是您提升系统能效、优化信号完整性的得力助手。

想象一下,在高频信号调理、精密检测电路或高速开关应用中,传统的整流二极管因其较高的正向压降和恢复时间,会引入不必要的功耗和信号延迟。5082-2811#T50凭借其肖特基结构,实现了极低的正向压降和近乎零的反向恢复时间,这意味着更少的能量以热的形式浪费,更纯净、更快速的信号传输。其15V的峰值反向电压和20mA的额定电流,专为低电压、小电流的精密应用场景量身定制,例如便携式设备的电源管理、传感器接口的保护与整流、以及通信模块中的高频信号处理。无论是追求更长续航的物联网终端,还是要求信号高保真的测试测量设备,它都能无缝融入,成为电路中那个安静却至关重要的“效率引擎”。

为什么众多工程师在面临选型时,会毫不犹豫地倾向5082-2811#T50?答案在于其背后博通顶尖的半导体工艺与可靠性承诺。轴向DO-35封装不仅经典可靠,便于自动化生产和手工焊接,其1.2pF@0V的超低结电容,更是确保了在高频环境下卓越的信号保真度,有效减少了寄生参数对电路性能的干扰。高达250mW的功率耗散能力,为其在紧凑空间内稳定工作提供了充足余量。选择它,就是选择了经过市场验证的稳定性和由全球领先的安华高代理商网络所保障的供货与技术支持。当您需要一颗能在细节处彰显功力,以卓越性能提升整体产品竞争力的肖特基二极管时,5082-2811#T50无疑是您最明智、最可靠的选择。

  • 型号:5082-2811#T50
  • 品牌:Broadcom Limited (Broadcom, 博通, 安华高Avago Technologies)
  • 封装:-
  • 类目:分立半导体产品 > 二极管 > 射频
  • 描述:RF DIODE SCHOTTKY 15V 250MW
  • 系列:-
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:停产
  • 二极管类型:肖特基 - 单
  • 电压 - 峰值反向(最大值):15V
  • 电流 - 最大值:20 mA
  • 不同Vr、F 时电容:1.2pF @ 0V,1MHz
  • 不同If、F 时电阻:-
  • 功率耗散(最大值):250 mW
  • 工作温度:-65°C ~ 200°C(TJ)
  • 等级:-
  • 资质:-
  • 封装/外壳:DO-204AH,DO-35,轴向
  • 供应商器件封装:-
  • 想获取5082-2811#T50的更多功能参数资料?请在本页面右侧在线下载技术资料

还在为电路中的微小功耗和信号失真烦恼吗?5082-2811#T50肖特基二极管,正是您提升效率、净化信号的秘密武器。它采用安华高科技(Broadcom博通)的先进工艺,以极低的正向压降和近乎瞬时的开关速度,让您的电路能量损耗大幅降低,信号传输更加快速精准。

这颗芯片能为您做什么?它专为15V/20mA以下的精密应用而生,无论是便携设备的电源路径管理,还是高频传感器信号的整流与保护,都能轻松胜任。其1.2pF的超低结电容,确保在高频环境下依然保持出色的信号完整性,让您的设计免受寄生参数干扰。经典的DO-35轴向封装,更让您的生产与维修变得高效而简便。

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